Принципы организации основной памяти
Производительность основной памяти:
- задержка
- полоса пропускания
Задержка памяти:
- время доступа (access time)
- длительность цикла (cycle time)
Основные типы ЗУПВ:
- СЗУПВ
- ДЗУПВ
Обращение к ДЗУПВ:
- RAS (row-access strobe) - строб адреса строки
- CAS (column-access strobe) - строб адреса столбца
Временные параметры ДЗУПВ
(в последней строке приведены ожидаемые параметры):
| Год появления | Емкость кристалла | Длительность RAS | Длительность CAS | Время цикла | Оптими-зированный режим | |
| max | min | |||||
| 1980 1983 1986 1989 1992 1995? | 64 Кбит 256 Кбит 1 Мбит 4 Мбит 16 Мбит 64 Мбит | 180 нс 150 нс 120 нс 100 нс 80 нс 65 нс | 150 нс 120 нс 100 нс 80 нс 60 нс 45 нс | 75 нс 50 нс 25 нс 20 нс 15 нс 10 нс | 250 нс 220 нс 190 нс 165 нс 120 нс 100 нс | 150 нс 100 нс 50 нс 40 нс 30 нс 20 нс |
Увеличение полосы пропускания:
- увеличение разрядности
- расслоение памяти
- использование специфических свойств ДЗУПВ:
- блочный режим (nibble mode)
- страничный режим (page mode)
- режим статического столбца (static column)
- блочный режим (nibble mode)
- оптимизация интерфейса между ДЗУПВ и ЦП (RAMBUS)
